Менеджмент

Максим Одноблюдов, к.ф.-м.н.

В 2004 году Максим Одноблюдов совместно с одногруппниками Владиславом Бугровым и Алексеем Ковшом основал в Финляндии компанию Optogan Oy. До начала 2009 года Максим занимался оперативным управлением растущей светодиодной компании в должности вице-президента по технологии и операционной деятельности. После регистрации ЗАО «Оптоган», с 2009 года Максим Одноблюдов является генеральным директором компании. ...

Будучи востребованным специалистом в международной научной среде, с 1998 по 2003 годы он работал в качестве приглашенного ученого в области оптоэлектроники в университетах и исследовательских центрах Швеции, Японии, Тайваня и Финляндии, Норвегии и США.

В 1996 году Максим окончил кафедру оптоэлектроники СПбГЭТУ (ЛЭТИ) и в 1998 году защитил кандидатскую диссертацию в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Он постигал основы технологии оптоэлектронных приборов, будучи в 1995-1996 годах сотрудником российских подразделений компаний CREE и TDI Inc.

Свою научную карьеру Максим начинал в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Как яркий молодой учёный, он был лауреатом стипендий Фонда Сороса и выиграл конкурс молодых учёных ФТИ. Максим также является лауреатом фонда «Династия» Дмитрия Зимина и лауреатом премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники. Максим является автором более 50 научных публикаций, включая публикации в таком ведущем международном журнале, как Physical Review Letters.

Владислав Бугров, д.ф.-м.н.

В 2004 году Владислав стал одним из основателей Optogan Oy, где по 2009 год развивал компанию в должности вице-президента по развитию бизнеса и интеллектуальной собственности. После регистрации ЗАО «Оптоган», c 2009 года, отвечает за создание производственного комплекса по изготовлению светодиодов в Санкт-Петербурге, развитие технологии и интеллектуальной собственности компании. Владислав является генеральным директором завода «Оптоган» в Санкт-Петербурге и исследовательского центра «Оптоган» в Финляндии. Совместно с Максимом Одноблюдовым является автором ключевых идей и патентов компании.

В марте 2011 года Владислав возглавил проект «Оптоган. Новые технологии света», цель которого заключается в интегрировании систем СИД-структура – драйвер – оптика на одной подложке и разработке принципиально нового класса энергосберегающих компактных многофункциональных интегрированных осветительных систем. Компания «Оптоган. Новые технологии света», созданная для реализации этого проекта, с 2011 года является участником Инновационного центра «Сколково».

В ноябре 2011 года Владислав назначен заведующим базовой магистерской кафедрой «Светодиодные технологии» в НИУ ИТМО, на факультете оптико-информационных систем и технологий. Кафедра была основана в рамках соглашения о стратегическом партнерстве компании «Оптоган» и НИУ ИТМО для реализации совместной научно-исследовательской и образовательной деятельности.

В 1994–2004 годах занимался развитием технологии получения светодиодных приборов на основе нитридов металлов III группы в лидирующих мировых светодиодных компаниях: Cree (США), TDI (США), ArimaOptoelectronics(Тайвань).

В 1996 году Владислав Бугров окончил кафедру оптоэлектроники СПбГЭТУ (ЛЭТИ). В 1999 году защитил кандидатскую диссертацию в Петербургском ФТИ им. А.Ф. Иоффе. За время обучения Владислав более 10 раз становился лауреатом российских и международных премий. В 2013 году Владислав был удостоен звания «Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники». В июне 2013 года Владиславу Бугрову была присуждена степень доктора физико-математических наук.

Владислав является автором более 30 статей, среди которых несколько основополагающих работ по светодиодным технологиям на основе нитрида галлия. Он имеет более 50 международных патентов и патентных заявок в области технологии светодиодов на основе нитридов металлов III группы.

Алексей Ковш, д.ф.-м.н.

В 2004 году Алексей стал сооснователем компании Optogan Oy. С момента основания компании Алексей был членом совета директоров. В конце 2009 года Алексей полностью перешел на операционную деятельность, возглавив направление развития бизнеса, продажи и маркетинг компании, а также светотехническое направление деятельности ЗАО «Оптоган». ...

Алексей является генеральным директором немецкого подразделения компании Optogan Lighting GmbH, а также членом совета директоров совместного предприятия “Филипс и Оптоган”.

С 2002 по 2009 год Алексей занимал позицию Chief Technical Officer немецко-калифорнийской компании Innolume — ведущего мирового производителя полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек. Алексей отвечал за развитие технологии, формирование линейки продуктов и их вывод на международные рынки. Алексей стоял у истоков компании и за пять лет вывел ее в мировые технологические лидеры. В 2008 году компания Innolume была признана самой инновационной компанией Северной Америки в лазерной сфере по версии лидирующего маркетингового агентства Frost and Sillivan.

C 2000 до 2002 года Алексей работал приглашенным специалистом в Индустриально-технологическом исследовательском институте на Тайване, где он отвечал за развитие технологии молекулярно-пучковой эпитаксии для оптоэлектронных приборов, а также разработку новых видов полупроводниковых лазеров. Его работа была выбрана из 300 проектов Института и отмечена Первой премией за лучшую технологическую разработку в 2002 году.

Алексей Ковш окончил кафедру оптоэлектроники СПбГЭТУ (ЛЭТИ) в 1996 году и защитил кандидатскую диссертацию в ФТИ им. А. Ф. Иоффе в 1999 году. В июне 2011 года Алексею была присуждена степень доктора физико-математических наук.

Алексей — соавтор более 400 научных статей и докладов на международных конференциях, включая 15 приглашенных докладов. Он имеет более 15 патентов и патентных заявок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов.

Алексей Ковш входит в две сотни российских ученых с высоким индексом цитирования (Индекс Хирша 37).

За свои научные достижения Алексей получил более десяти различных премий, среди которых золотая медаль и премия Фонда нобелевского лауреата Жореса Алферова 2006 года за первую в мире реализацию температурно-независимого полупроводникового лазера в 2004 году.